Siliconoid Expansion by a Single Germanium Atom through Isolated Intermediates

Das Wachstum von (Halb-)Metallclustern ist entscheidend für Keimbildungsprozesse in gasförmigen und kondensierten Phasen. Wir berichten nun über die Isolierung Zwischenprodukten während der Erweiterung eines stabilen, ungesättigten Siliciumclusters (Silicoid) um ein einzelnes Germaniumatom durch eine Abfolge Substitution, Umlagerung Reduktion. Die Reaktion ligato-lithiiertem Hexasilabenzpolaren LiSi6Tip5 (Li⋅(thf)2, Tip=2,4,6-Triisopropylphenyl) mit GeCl2⋅NHC (NHC=1,3-Diisopropyl-4,5-dimethylimidazol-2-yliden) liefert zunächst das Produkt exohedraler Germanium(II)-Funktionalität, dann Si−Si Bindung des Si6-Gerüsts insertiert. gleichzeitige Übertragung Chlorfunktionalität Germanium auf benachbartes Siliciumatom bewahrt elektronenpräzise Natur gebildeten endohedralen Germylens. Der vollständige Einbau Germaniumheteroatoms den Si6Ge-Clusterkern wird schließlich entweder Reduktion unter Verlust koordinierenden NHC oder direkt 1Li⋅(thf)2 GeCl2⋅1,4-Dioxan erreicht.